K3567是一种 场效应管（MOSFET），具体信息如下：
品牌：
Toshiba/东芝
类型：
绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
P-FET硅P沟道
批号：
12+原装ROHS
封装：
TO-220F
漏源电压（Vdss）：
600V
漏极电流（Id）：
3.5A
漏源导通电阻（RDS On）：
2.2Ω
栅源电压（Vgs）：
±20V
栅极电荷（Qg）：
16nC
反向恢复时间：
1400ns
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